6月25日,国家第三代半导体技术创新中心(以下简称“国创中心”)发展战略研讨会暨第一届技术专家委员会在苏州举行。会议向华灿光电与国创中心共建的微显示LED技术联合研发中心授牌,华灿光电首席技术官王江波博士入选第一届技术专家委员。
(右四:华灿光电首席技术官王江波博士入选第一届技术专家委员)
根据华灿光电公众号表述,此次华灿光电与国创中心共建微显示LED技术联合研发中心,将充分发挥华灿光电在第三代半导体技术领域多年的技术积累与创新优势,依托国创中心国家级战略科技力量和创新平台,构建研发资源整合,重点聚焦第三代半导体材料与器件领域新技术的突破,加速公司技术创新发展。
(左三:华灿光电与国创中心共建微显示LED技术联合研发中心)
实际上,早在2020年,华灿光电就已经布局第三代半导体GaN器件研发和制造项目。GaN电力电子器件与 LED 芯片技术部分相通性,华灿光电依托过去LED 芯片在 GaN 材料与器件领域的技术积累,立足GaN 研发和制造基础和客户基础,聚焦智能手机、汽车、数据中心等领域对 GaN 功率器件的市场需求,为客户提供高性价比的 GaN 功率器件产品及应用支持,向化合物半导体的多元化产品领域拓展。
在研发资源整合方面,除此次与国创中心共建微显示LED技术联合研发中心外,华灿光电还成立了珠海华发华灿先进半导体研究院、浙江省第三代半导体重点实验室、博士后工作站、企业研究院等研发机构,将各类研发资源整合,着眼于化合物半导体前瞻性技术研发。
在技术研发方面,目前华灿光电的GaN 电力电子器件外延片已达到国内先进水平,芯片相关工艺完成阶段性开发,6英寸硅基GaN电力电子器件工艺已通线,100mm栅宽D-Mode 器件静态参数对标国际市场已达标。
在项目建设方面, GaN 基电力电子器件的研发与制造项目尚在建设,项目建成后,华灿光电将实现GaN功率器件从设计开发、外延生长、芯片制造到晶圆测试的完整业务链,进而可以快速推进GaN功率器件的大规模产业化。
据《第三代半导体产业技术发展报告》预测,2024年我国第三代半导体电力电子器件应用市场规模将近200亿元,未来5年复合增长率超过40%。随着国家政策支持、产业合力创新以及下游产业带动下,未来第三代半导体行业技术及产品创新也将不断迎来突破,更多像华灿光电积极建立技术和市场护城河的企业,也将迎来新的发展机遇。
