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    FD-SOI为何在车用电子领域深具发展潜力?

    广告:中金在线 2018-06-14 12:42:42 来源:和讯名家 已入驻财经号 作者:
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      格罗方德宣布其22FDX (22nm FD-SOI)技术平台已通过AEC-Q100 2级认证,准备投入量产。作为业界符合汽车标准的先进FD-SOI制程技术,格罗方德的22FDX平台融合全面的技术和实现设计能力,旨在提高汽车IC的性能和效能,同时符合严格的汽车安全和质量标准。

      此外,这个经过优化的平台为汽车雷达应用提供高性能射频和毫米波功能,并支援在MCU中实施逻辑、Flash、非挥发性存储器,也支援高压零件,以满足车用IC的特殊要求。

      高整合潜力及耐受性令FD-SOI于车用电子领域深具发展潜力

      FD-SOI于车用电子上的应用相当广泛,除了Analog/Power领域外,几乎都有FD-SOI能着力的地方(如图所示),也因此只要车商有整合需求,FD-SOI是有相当的潜力以SoC形式将图中各项领域进行高度整合。

      此特性加上FD-SOI对恶劣环境的耐受性高、低功耗等优势,使得FD-SOI成为一项优良解决方案,满足客户端在面临高温、高震动及高噪音的操作环境下,仍需要维持稳定的芯片性能需求。

      source:格罗方德

      FD-SOI整合MRAM有助于满足复杂的自动驾驶要求

      消费者对汽车安全性需求带动汽车朝向全自动驾驶发展,先进驾驶辅助系统(ADAS)性能将更加强大,此发展驱使嵌入式存储器(Embedded Memory)出现「质」与「量」的同步提升。

      目前嵌入式存储器主要为NOR-Flash架构,然而进展至45nm NOR-Flash即面临制程微缩的瓶颈,因此难以满足更高容量的储存存储器需求,以MRAM嵌入式存储器架构被证实有机会推进至10nm,加上其具备NAND Flash非挥发性特性,在容量密度及使用寿命上也不输给DRAM,平均能耗远低于DRAM,未来极具成为真正通用型存储器潜力。

      FD-SOI与MRAM在车用领域各有其优势,也因此业者积极开发FD-SOI整合MRAM嵌入式存储器架构来因应日趋复杂的安全自动驾驶要求。

      本文首发于微信公众号:拓墣产业研究院。文章内容属作者个人观点,不代表和讯网立场。投资者据此操作,风险请自担。

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