当全球科技界的目光还停留在HBM与GPU的算力军备竞赛时，一个更深层的瓶颈正在浮出水面：存力。大模型参数规模指数级膨胀、推理成本持续承压，存储系统的带宽、延迟与效率，已成为决定AI基础设施竞争力的“短板”。而这块短板，长期被少数海外巨头掌控。
中国每年进口存储芯片几千亿元。DRAM内存、NAND Flash闪存、企业级固态硬盘主控芯片及解决方案……高端存储产业链的核心环节高度依赖外资供给，供应链安全与AI基础设施建设的压力始终存在。
2026年，三家中国企业的资本动向，让这一格局开始松动。长鑫存储科创板IPO获证监会批复，26Q1单季度盈利达330元；长江存储母公司正式启动科创板IPO辅导；大普微于今年4月已在创业板上市，市值一度突破4000亿元。三家企业分工明确：DRAM内存芯片、NAND闪存颗粒、企业级固态硬盘主控芯片及解决方案，分别对应国产高端存储链条上此前最薄弱的三个环节，形成"两长一大"格局。
长鑫存储：国内DRAM自主化的关键一步
DRAM是一种易失性存储介质，负责临时存放高速数据，广泛应用于手机运行内存、电脑内存、服务器内存。DRAM工艺节点控制精度要求极高，良率爬坡周期长，全球市场长期由三星、SK海力士、美光三家瓜分超九成份额。在这一赛道，长鑫存储是当前唯一实现通用型DRAM大规模量产的国内IDM型企业。
长鑫存储以早期从德国奇梦达取得的专利为基础，经过多轮自主迭代，已实现17nm制程的量产，并向15nm演进，在DDR5、LPDDR5X等高端产品上达到国际主流水平。目前其产品已切入阿里云、字节跳动、腾讯、小米等客户供应链。与三星、SK海力士等巨头相比，长鑫存储目前的全球市场份额仍较低，但技术迭代速度与客户渗透节奏均在加快。2026年7月16日，长鑫科技启动IPO发行申购，其本次IPO拟募资295亿元，为科创板史上第二大规模IPO，资金主要投向DRAM工艺升级与前瞻技术预研。公司目标是实现全球市场份额突破15%。
长江存储：NAND颗粒国产化的技术主力
NAND Flash是一种非易失性存储介质，负责长期存储数据，是SSD、eMMC、UFS等存储产品的核心介质。2016年以前，在NAND闪存领域，中国长期缺席。长江存储的出现，打破了这一局面。作为国内唯一实现3D NAND大规模量产的企业，长江存储近年来完成了多代技术迭代：232层NAND已达国际先进水平，采用自主Xtacking架构的294层产品走出了一条差异化路线——将阵列晶圆与CMOS外围电路分层制造后再键合，相比传统堆叠方式可获得更高的I/O速度与更低的功耗，也为进一步扩展层数提供了可行的工艺路径。
2026 年 5 月，长江存储的母公司长江存储控股股份有限公司正式启动 IPO 辅导备案，冲刺科创板，其首期辅导报告已于7月10日披露，标志着IPO辅导取得阶段性进展。据公开信息，长江存储科技有限责任公司在胡润研究院《2025全球独角兽榜》中，以1,600亿元估值位列中国十大独角兽第9位、全球第21位。
大普微：主控芯片与解决方案层面的关键补位
即使存储颗粒可以实现国产化，"有颗粒、无方案"的应用困境依然会制约产业链的发展。大普微解决的正是这一痛点。大普微是是业内领先、国内极少数具备数据中心企业级SSD“主控芯片+固件算法+模组”全栈自研能力并实现批量出货的半导体存储产品提供商，也是全球首批量产企业级PCIe 5.0 SSD和大容量QLC SSD的存储厂商。根据公开信息，大普微现推出的QLC SSD容量至高可达245TB。此外，大普微还创新性地推出了SCM SSD、可计算存储SSD等产品，深度赋能AI数据存算场景。
客户资源方面，大普微的客户包括字节跳动、腾讯、阿里巴巴、京东、三大运营商等头部厂商，其招股说明书显示，2025年，公司已通过Nvidia、xAI 两家全球AI头部前沿公司测试导入。
“两长一大”形成产业协同，国产存储迈向生态引领
在 AI 大模型从“拼参数”转向“拼记忆”的背景下，数据读写效率成为制约算力的关键。AI时代的存储竞争是全栈协同的竞争，“两长一大”的组合，让中国存储首次具备从底层颗粒到上层AI存储解决方案的全链条能力，形成 “1+1+1>3” 的产业效应，推动国产存储从“可用”向“好用”、从“替代”向“引领”迈进。
三家企业的资本化进程，正在加速该产业格局的形成。大普微作为A股“AI SSD第一股”，已于2026年4月登陆深交所创业板，市值一度突破4000亿元；长鑫存储拟募资295亿元的科创板IPO于2026年6月注册生效，有望成为年内科创板最大规模上市融资；长江存储母公司亦已启动上市辅导，有望在长鑫存储之后完成A股上市。“两长一大”的产业坐标将因资本赋能而获得更坚实的长期支撑。
“不必拘泥于国产化定位，中国的，就是世界的。”在AI驱动全球算力基础设施重构的黄金时代，中国存储产业的领军企业，正以全栈协同之势，驶向星辰大海。
