中信证券研报指出，2月以来，随铠侠业绩及指引超预期、NAND一季度合约价上调、以及国内模组厂商佰维存储发布1-2月业绩公告超预期，进一步验证了存储行业景气度维持高位。中信证券继续看好存储需求超预期，预计行业供不应求将持续至27H1，核心推荐短期业绩爆发性强的存储模组公司、存储原厂及贴近原厂的设计公司。

　　全文如下

　　存储｜Q1 NAND合约价涨幅再度上调，模组厂商业绩指引强劲(2026年2月)

　　2月以来，随铠侠业绩及指引超预期、NAND一季度合约价上调、以及国内模组厂商佰维存储发布1-2月业绩公告超预期，进一步验证了存储行业景气度维持高位。我们继续看好存储需求超预期，预计行业供不应求将持续至27H1，核心推荐短期业绩爆发性强的存储模组公司、存储原厂及贴近原厂的设计公司。

　　▍一、2026年2月价格回顾(Bloomberg，CFM闪存市场，TrendForce)

　　1)DRAM：在经历1月环比大涨后，2月DRAM现货和合约价格涨幅放缓。根据Bloomberg，2月主流颗粒现货价环比-3%~+12%；DDR5-8Gb /DDR4-8Gb合约价环比+4%/+8%。

　　2)NAND Flash：2月继续保持环比快速上涨，涨幅相对收敛。根据Bloomberg，2月主流颗粒现货价环比+10%~+26%，合约价环比+37% ~+67%。

　　3)模组：2月DDR4/5内存条现货价格环比基本走平，SSD环比0~+13%，移动存储环比+10%~+25%；2月DDR5内存条合约价格环比+4%~+18%，DDR4价格走平；SSD环比+6%~+18%。(注：由于当前现货市场价格波动较大，合约议价周期缩短，因此不同资料来源的存储价格存在差异)

　　▍二、价格展望(TrendForce Mar. 2026)

　　1)DRAM：预计Q1传统DRAM合约价上涨90%~95%(未调整)；2月底，据韩媒sedaily，三星电子和SK海力士已向客户发出通知，25Q2将继续大幅提高DRAM价格；据台媒“PCDIY！”报道，SK海力士于春节后向客户发出涨价通知，DDR5颗粒26Q2将涨价40%。

　　2)NAND Flash：由于AI服务器需求保持强劲，供需严重失衡，原厂涨价意愿强烈，上调Q1整体合约价涨幅至85%~90%(此前预期55% ~60%)。

　　3)利基存储：NOR Flash方面，台系厂商陆续减少中小容量NOR Flash产能，这将导致NOR产能收敛、供需改善，我们预计NOR Flash 26H1将保持上涨，Q1涨幅整体超过20%，中小容量NOR涨幅更大。SLC NAND Flash方面，海外原厂如美光、铠侠、三星陆续减少供应，我们预计在供给收缩下26H1价格上涨幅度有望接近主流TLC/QLC产品。

　　▍三、海外原厂对需求端判断

　　SK海力士：公司预计2026年DRAM bit需求同比增速20%以上，NAND bit需求同比增速15%~20%(high-teens)；DRAM及NAND库存仅剩约4周，2026年所有客户的需求都无法得到完全满足；

　　闪迪：公司预计2026年数据中心bit需求增长将超过60%；

　　铠侠：公司预计NAND市场中长期bit需求将以约20% CAGR增长；HyperScaler LTA已经谈至2027-28年；公司指引FY4Q25(CY1Q26)营收环比成长55%~72%，超市场预期。

　　▍四、国内存储厂商业绩预期

　　佰维存储：公司预计1~2月营收40~45亿元，同比+340%~395%；预计1~2月归母净利润15~18亿元，同比+922%~1086%，归母扣非净利润13.5~16.0亿元，剔除股份支付后归母净利润15.3~18.3亿元，超市场预期。

　　▍风险因素：

　　海外CSP厂商AI CAPEX不及预期；消费电子下游需求走弱；存储价格提升不及预期；行业竞争加剧；技术革新风险；国际贸易摩擦风险等。

　　▍投资策略：

　　我们继续看好存储需求超预期，预计行业供不应求将持续至27H1，核心推荐：1)存储模组公司：短期业绩爆发能力强；2)存储设计公司：持续推荐存储原厂及贴近原厂的设计公司。

　　(文章来源：财联社)